0     1     1     0    1    0    1   1      0    1    0    1    0    1    0    0     1     1     0    1    0    1     0    1    0    1    0    1    0    
Схемотехника
Теория↓ Практика↓ Тесты↓ Презентации↓ На главную Новости
Просто рисунок, не несущий никакой полезной информации



ТЕМА 16. Флэш-память. Перспективные запоминающие устройства.

16.1 Флэш-память

Флэш-память (Flash-Меmorу) по типу запоминающих элементов и основ­ным принципам работы подобна памяти типа Е2РROМ однако ряд архитек­турных и структурных особенностей позволяют выделить ее в отдельный класс. Разработка Флэш-памяти считается кульминацией десятилетнего раз­вития схемотехники памяти с электрическим стиранием информации.

В схемах Флэш-памяти не предусмотрено стирание отдельных слов, стирание информации осуществляется либо для всей памяти одновременно, либо для достаточно больших блоков. Понятно, что это позволяет упростить схемы ЗУ, т. е. способствует достижению высокого уровня интеграции и быстродействия при снижении стоимости. Технологически схемы Флэш-памяти выполняются с высоким качеством и обладают очень хорошими параметрами.

Термин Flash по одной из версий связан с характерной особенностью этого вида памяти — возможностью одновременного стирания всего ее объема Согласно этой версии ещё до появления Флэш-памяти при хранении сек­ретных данных использовались устройства,  которые при попытках несанк­ционированного доступа к ним автоматически стирали хранимую информа­цию и назывались устройствами типа Flash

(вспышка, мгновение). Это на­звание перешло и к памяти, обладавшей свойством быстрого стирания всего массива данных одним сигналом.

Одновременное стирание всей информации ЗУ реализуется наиболее про­сто, но имеет тот недостаток, что даже замена одного слова в ЗУ требует стирания и новой записи для всего ЗУ в целом. Для многих применений это неудобно. Поэтому наряду со схемами с одновременным стиранием всего содержимого имеются схемы с блочной структурой, в которых весь массив памяти делится на блоки, стираемые независимо друг от друга. Объем таких блоков сильно разнится: от 256 байт до 128 Кбайт.

Для первого направления в связи с редким обновлением содержимого пара­метры циклов стирания и записи не столь существенны как информацион­ная емкость и скорость считывания информации. Стирание в этих схемах может быть как одновременным для всей памяти, так и блочным. Среди устройств с блочным стиранием выделяют схемы со специализированными блоками (несимметричные блочные структуры). По имени так называемых Вооt-блоков, в которых информация надежно защищена аппаратными сред­ствами от случайного стирания, эти ЗУ называют Вооt Blосk Flash Метоrу. Вооt блоки хранят программы инициализации системы, позволяющие вве­сти ее в рабочее состояние после включения питания.

назад вперед
Просто рисунок, не несущий никакой полезной информации
ТеорияПрактикаТестыПрезентацииОб авторахНа главную
0     1     1     0    1    0    1   1      0    1    0    1    0    1    0    0     1     1     0    1    0    1     0    1    0    1    0    1    0