Лабораторная работа №2
Исследование полупроводниковых приборов.
1. Задание:
Исследовать параметры полупроводниковых диодов.
Порядок выполнения работы:
1.1. Запустите программу Multisim 8.
1.2. Соберите схему для исследования параметров
полупроводниковых диодов.
1.2.1. Из библиотеки компонентов источников питания Power Source Component на
поле поместите источник заданного напряжения  и заземление –  .
1.2.2. Из библиотеки пассивных элементов Basic
на поле поместите резистор  , подстроечный резистор  и ключ
 .
1.2.3. Из библиотеки индикаторных устройств Indicators  поместите
амперметры  и вольтметры  .
1.2.4. Из библиотеки Diodes на поле поместить диод 
Щелкните по нему правой кнопкой мыши, выберите Component properties-Edit и установите сопротивление p-n перехода (Ohmic resistance (RS)
равным 0.1n Oм.
|
