0     1     1     0    1    0    1   1      0    1    0    1    0    1    0    0     1     1     0    1    0    1     0    1    0    1    0    1    0    
Схемотехника
Теория↓ Практика↓ Тесты↓ Презентации↓ На главную Новости
Просто рисунок, не несущий никакой полезной информации



Лабораторная работа №2

Исследование полупроводниковых приборов.

1. Задание: Исследовать параметры полупроводниковых диодов.

Порядок выполнения работы:

1.1. Запустите программу Multisim 8.

1.2. Соберите схему для исследования параметров полупроводниковых диодов.

1.2.1. Из библиотеки компонентов источников питания Power Source Component на поле поместите источник  заданного напряжения  и заземление – .

1.2.2. Из библиотеки пассивных элементов Basic на поле поместите резистор , подстроечный резистор  и ключ .

   1.2.3.  Из библиотеки  индикаторных устройств Indicators  поместите амперметры  и вольтметры .

1.2.4. Из библиотеки Diodes на поле поместить диод

Щелкните по нему правой кнопкой мыши, выберите Component properties-Edit и установите сопротивление p-n перехода (Ohmic resistance (RS) равным 0.1n Oм.

назад вперед
Просто рисунок, не несущий никакой полезной информации
ТеорияПрактикаТестыПрезентацииОб авторахНа главную
0     1     1     0    1    0    1   1      0    1    0    1    0    1    0    0     1     1     0    1    0    1     0    1    0    1    0    1    0